摘要：本實(shí)用新型涉及一種改善電流傳輸堵塞的LED芯片結(jié)構(gòu)，其包括襯底及位于襯底上方的P電極與N電極；N電極與襯底上方的N型氮化鎵層電連接；所述N型氮化鎵層內(nèi)設(shè)有改善傳輸槽，所述改善傳輸槽在N型氮化鎵層內(nèi)從N型氮化鎵層表面向襯底方向延伸，所述N電極填充于改善傳輸槽內(nèi)，并覆蓋于N型氮化鎵層對(duì)應(yīng)的表面。本實(shí)用新型通過(guò)位于改善傳輸槽內(nèi)的N電極能分擔(dān)相應(yīng)的電勢(shì)線，避免電勢(shì)線聚集在N電極與N型氮化鎵層的結(jié)合部，能擴(kuò)大電勢(shì)線的接觸面積，避免電勢(shì)線過(guò)渡聚集時(shí)產(chǎn)生電流堵塞，降低電流堵塞產(chǎn)生的發(fā)熱現(xiàn)象，同時(shí)，能夠提高LED芯片的出光效率；結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊，與現(xiàn)有加工工藝相兼容，延長(zhǎng)了LED芯片使用壽命，安全可靠。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩(shī);
- 地址214111 江蘇省無(wú)錫市錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201120479097.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年11月28日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN202405304U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年08月29日
- 分類號(hào)H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;
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