摘要：一種能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明芯片加工方法步驟為：①在器件上表面進行激光劃片至襯底與外延片界面附近，形成溝槽；②采用高溫酸液對溝槽進行腐蝕，獲得期望的形貌；③采用隱形切割工藝在器件內(nèi)部正對溝槽的位置形成內(nèi)劃痕；④以內(nèi)劃痕的位置進行裂片，分為各獨立的發(fā)光二級管芯片。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法同時采用高溫側(cè)壁腐蝕工藝與隱形切割工藝，能更大程度的提高LED芯片的亮度。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人同方光電科技有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人賴鴻章;
- 地址100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
- 申請?zhí)?/b>CN201310023352.4
- 申請時間2013年01月23日
- 申請公布號CN103943744A
- 申請公布時間2014年07月23日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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