摘要：本發(fā)明公開一種漸變電子阻擋層的紫外光氮化鎵半導(dǎo)體發(fā)光二極管，通過能帶工程設(shè)計(jì)與優(yōu)化，在其外延結(jié)構(gòu)中引入六種不同方式變化的類超晶格鋁鎵氮電子阻擋層來實(shí)現(xiàn)鋁組分的變化，從而調(diào)節(jié)電子阻擋層中的極化效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)高的空穴注入，以解決紫外光半導(dǎo)體發(fā)光二極管中P型摻雜效率低空穴濃度不足的問題。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人李文兵;王江波;董彬忠;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210122392.X
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年04月25日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102623599B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年05月07日
- 分類號(hào)H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;
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