摘要：本實用新型公開了一種發(fā)光二極管芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該芯片包括襯底以及依次層疊在襯底上的n型層、多量子阱層和p型層，p型層上設(shè)有p型焊盤，p型層上設(shè)有盲孔，盲孔從p型層延伸至n型層，盲孔的一端設(shè)有n型焊盤且n型焊盤位于p型層上，盲孔內(nèi)設(shè)有將n型焊盤與n型層電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，n型焊盤與p型層之間、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與p型層之間以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與多量子阱層之間設(shè)有絕緣層。本實用新型通過上述技術(shù)方案，從而減小了制作n型焊盤時需要刻蝕掉的發(fā)光面積，相較于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管芯片，本實用新型的發(fā)光二極管芯片相應(yīng)地增大了發(fā)光面積，從而提高了發(fā)光二極管芯片的亮度和發(fā)光效率。
- 專利類型實用新型
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人皮智華;張建寶;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201220476129.6
- 申請時間2012年09月17日
- 申請公布號CN202839727U
- 申請公布時間2013年03月27日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;
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