摘要：本發(fā)明公開了一種高發(fā)光效率發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管領域。該高發(fā)光效率發(fā)光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層、P型AlGaN層和P型GaN載流子層，多量子阱有源層包括交替生長的多個InGaN阱層和多個GaN壘層；P型AlGaN層包括依次覆蓋在多量子阱有源層上的第一P型AlGaN子層、u型GaN子層和第二P型AlGaN子層。不僅可以降低P型GaN載流子層中空穴翻越P型AlGaN層所需要的勢能，同時還能在u型GaN子層中形成量子態(tài)，P型GaN載流子層中勢能低于翻越P型AlGaN層所需要的勢能的空穴，會通過量子隧穿效應隧穿到u型GaN子層中，進而傳輸?shù)搅孔于逯?，增加了注入多量子阱有源層中的空穴濃度?/span>
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201510855764.3
- 申請時間2015年11月30日
- 申請公布號CN105514233A
- 申請公布時間2016年04月20日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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