摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基發(fā)光二極管外延片及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。外延片包括襯底、以及在襯底上依次生長(zhǎng)的GaN成核層、不摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層以及p型層，多量子阱層為多周期結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期包括InGaN層和GaN層，多周期結(jié)構(gòu)之與n型層接觸的周期為第一周期，第一周期的GaN層δ摻雜有Si，且第一周期的GaN層的Si摻雜在遠(yuǎn)離第一相鄰層的位置，第一相鄰層為與第一周期的GaN層接觸的InGaN層。本發(fā)明通過(guò)上述方案，可以降低多量子阱層中的位錯(cuò)，屏蔽極化電場(chǎng)的影響，提高晶體質(zhì)量，Si不會(huì)擴(kuò)散到InGaN層中，可避免在多量子阱層中形成點(diǎn)缺陷，使得電子和空穴的復(fù)合效率高，發(fā)光效率高。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人吳克敏;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310329712.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年07月31日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103441197B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年02月03日
- 分類號(hào)H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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