摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述方法包括：在襯底上生長外延層得到外延片，外延層包括依次層疊在襯底上的N型層、多量子阱層以及P型層；對外延層進(jìn)行兩次刻蝕，以在外延層上形成第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽位于第一凹槽內(nèi)，第二凹槽的底面為襯底，第二凹槽的底面的寬度小于第一凹槽的底面的寬度；在刻蝕后的外延片表面沉積一層保護(hù)層；采用激光劃片工藝在第二凹槽內(nèi)進(jìn)行劃片，產(chǎn)生V形劃槽，第二凹槽的底面的寬度大于V形劃槽的開口的寬度；將劃片完成后的外延片放入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，去除激光劃片產(chǎn)生的燒蝕物；去除外延片表面的保護(hù)層；分別在P型層和N型層上形成P電極和N電極。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人張威;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201410603022.7
- 申請時(shí)間2014年10月29日
- 申請公布號CN104319323A
- 申請公布時(shí)間2015年01月28日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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