摘要：本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制造方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管包括：依次層疊在襯底上的N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)層、電子阻擋層和P型氮化鎵層，所述電子阻擋層包括至少一個(gè)第一鋁鎵氮層和至少一個(gè)第二鋁鎵氮層，所述第一鋁鎵氮層和第二鋁鎵氮層交替層疊布置，相鄰的第一鋁鎵氮層和第二鋁鎵氮層的鋁組分不同。所述方法包括：在襯底上依次生長(zhǎng)N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)層、電子阻擋層和P型氮化鎵層。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)能帶工程，優(yōu)化和設(shè)計(jì)電子阻擋層中鋁組分的變化，可以在實(shí)現(xiàn)對(duì)溢出電子的阻擋的同時(shí)，提高空穴的注入效率，從而提高發(fā)光二極管的量子效率。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人李文兵;王江波;董彬忠;楊春艷;
- 地址430223 湖北省武漢市光谷濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210056382.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年03月06日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102569571B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年06月24日
- 分類(lèi)號(hào)H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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