摘要：本發(fā)明實施例公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管及其制造方法，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域。所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管包括：依次層疊在襯底上的N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)層、電子阻擋層和P型氮化鎵層，所述電子阻擋層包括至少一個第一鋁鎵氮層和至少一個第二鋁鎵氮層，所述第一鋁鎵氮層和第二鋁鎵氮層交替層疊布置，相鄰的第一鋁鎵氮層和第二鋁鎵氮層的鋁組分不同。所述方法包括：在襯底上依次生長N型氮化鎵層、量子阱結(jié)構(gòu)層、電子阻擋層和P型氮化鎵層。本發(fā)明實施例通過能帶工程，優(yōu)化和設(shè)計電子阻擋層中鋁組分的變化，可以在實現(xiàn)對溢出電子的阻擋的同時，提高空穴的注入效率，從而提高發(fā)光二極管的量子效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人李文兵;王江波;董彬忠;楊春艷;
- 地址430223 湖北省武漢市光谷濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201210056382.0
- 申請時間2012年03月06日
- 申請公布號CN102569571B
- 申請公布時間2015年06月24日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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