摘要：本發(fā)明公開了一種具有高發(fā)光效率的外延片生長(zhǎng)方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。該方法包括：提供一襯底；在所述襯底上依次生長(zhǎng)u型GaN層和N型GaN層；在所述N型GaN層上生長(zhǎng)多量子阱有源層；在所述多量子阱有源層上生長(zhǎng)P型AlGaN層；在所述P型AlGaN層上生長(zhǎng)P型GaN載流子層；其中，所述在所述多量子阱有源層上生長(zhǎng)P型AlGaN層，包括：在反應(yīng)腔內(nèi)溫度為950℃，反應(yīng)腔內(nèi)壓強(qiáng)為100torr的環(huán)境下，間歇式生長(zhǎng)AlGaN層，并在所述AlGaN層生長(zhǎng)間隙通入CP2Mg源。本發(fā)明提供的方法使得注入多量子阱有源層中的空穴明顯增加，可以大大提高了電子和空穴在多量子阱有源層中的復(fù)合效率，由于復(fù)合效率的提高，使電子溢漏的程度減小，提高了大電流密度下GaN基LED的發(fā)光效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510599117.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年09月18日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105280768A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年01月27日
- 分類號(hào)H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/02(2006.01)I;
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