摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該外延片包括：襯底、在襯底上依次向上生長的緩沖層、n型層、多量子阱層和p型層，多量子阱層包括若干個(gè)量子壘層和若干個(gè)量子阱層，量子壘層與量子阱層相互交替生長，外延片還包括設(shè)于多量子阱層和p型層之間的空穴注入層，空穴注入層的禁帶寬度大于多量子阱層中最靠近空穴注入層的量子阱層的禁帶寬度。本發(fā)明通過設(shè)置空穴注入層，在多量子阱層和p型層之間形成一個(gè)勢阱，該勢阱能夠聚集從p型層注入到多量子阱層的空穴，然后在外加電壓的作用下，將聚集的空穴注入到多量子阱層，從而提高了空穴的注入效率，促進(jìn)了電子和空穴的輻射復(fù)合效率，提高了外延片的發(fā)光效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人王明軍;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201310188694.1
- 申請時(shí)間2013年05月21日
- 申請公布號CN103311389A
- 申請公布時(shí)間2013年09月18日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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