摘要：本發(fā)明涉及一種具有高亮度高發(fā)光效率的外延生長結構，所述具有高亮度高發(fā)光效率的外延生長結構，包括襯底及生長于所述襯底上的半導體發(fā)光結構，所述半導體發(fā)光結構包括生長于襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長有N型化合物半導體材料層，所述N型化合物半導體材料層上生長有有源層；所述有源層上生長有電子溢出阻擋層，所述電子溢出阻擋層上生長P型化合物半導體材料層。本發(fā)明通過電子溢出阻擋層與P型化合物半導體材料層共同阻擋電子的溢出，增加有源區(qū)的復合電子數(shù)量，從而有效地提高制備得到發(fā)光器件的發(fā)光效率，提高LED芯片的發(fā)光亮度及發(fā)光效率，與現(xiàn)有工藝兼容，工藝方便，結構緊湊，安全可靠。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人鐘玉煌;郭文平;
- 地址214111 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經濟開發(fā)區(qū)團結北路18號
- 申請?zhí)?/b>CN201210505746.9
- 申請時間2012年12月01日
- 申請公布號CN102983237A
- 申請公布時間2013年03月20日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;
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