摘要：本發(fā)明涉及一種具有高亮度高發(fā)光效率的外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，所述具有高亮度高發(fā)光效率的外延生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，包括襯底及生長(zhǎng)于所述襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括生長(zhǎng)于襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長(zhǎng)有N型化合物半導(dǎo)體材料層，所述N型化合物半導(dǎo)體材料層上生長(zhǎng)有有源層；所述有源層上生長(zhǎng)有電子溢出阻擋層，所述電子溢出阻擋層上生長(zhǎng)P型化合物半導(dǎo)體材料層。本發(fā)明通過(guò)電子溢出阻擋層與P型化合物半導(dǎo)體材料層共同阻擋電子的溢出，增加有源區(qū)的復(fù)合電子數(shù)量，從而有效地提高制備得到發(fā)光器件的發(fā)光效率，提高LED芯片的發(fā)光亮度及發(fā)光效率，與現(xiàn)有工藝兼容，工藝方便，結(jié)構(gòu)緊湊，安全可靠。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人鐘玉煌;郭文平;
- 地址214111 江蘇省無(wú)錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210505746.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年12月01日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102983237A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2013年03月20日
- 分類(lèi)號(hào)H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;
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