摘要：本實用新型涉及一種GaN基UV探測傳感器，包括襯底，其特征是：在所述襯底上表面依次設置U-GaN層、AlGaN層和N型GaN層，在N型GaN層上表面分別設置歐姆電極和肖特基電極。所述歐姆電極為Ti/Al/Ti/Au金屬層。所述肖特基電極的材質(zhì)為金屬Pt。所述歐姆電極與肖特基電極之間存在一定距離。所述襯底為藍寶石襯底。本實用新型有效降低了傳感器的漏電流，提高了傳感器的響應度；并且生產(chǎn)工藝簡單、需求設備少、成本低。
- 專利類型實用新型
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人黃慧詩;郭文平;柯志杰;鄧群雄;閆曉密;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)團結(jié)北路18號
- 申請?zhí)?/b>CN201420009212.1
- 申請時間2014年01月07日
- 申請公布號CN203800065U
- 申請公布時間2014年08月27日
- 分類號H01L31/108(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;
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