摘要：本實用新型涉及一種新型的外延P型GaN層生長結(jié)構(gòu)，尤其是一種可提高發(fā)光效率的外延PGaN層生長結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域。按照本實用新型提供的技術(shù)方案，所述可提高發(fā)光效率的外延PGaN層生長結(jié)構(gòu)，包括襯底及生長于所述襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括生長于襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長有N型化合物半導(dǎo)體材料層，所述N型化合物半導(dǎo)體材料層上生長有有源層；所述有源層上生長有電子溢出阻擋層；所述電子溢出阻擋層上生長P型化合物半導(dǎo)體材料層，所述P型化合物半導(dǎo)體材料層內(nèi)生長有P型InGaN-GaN超晶格層。本實用新型結(jié)構(gòu)緊湊，能顯著提高發(fā)光效率，工藝方便，安全可靠。
- 專利類型實用新型
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人郭文平;鐘玉煌;姜紅苓;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)團結(jié)北路18號
- 申請?zhí)?/b>CN201420021683.4
- 申請時間2014年01月14日
- 申請公布號CN203800070U
- 申請公布時間2014年08月27日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;
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