摘要：本實(shí)用新型涉及一種新型的外延P型GaN層生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，尤其是一種可提高發(fā)光效率的外延PGaN層生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu)的技術(shù)領(lǐng)域。按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述可提高發(fā)光效率的外延PGaN層生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，包括襯底及生長(zhǎng)于所述襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括生長(zhǎng)于襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長(zhǎng)有N型化合物半導(dǎo)體材料層，所述N型化合物半導(dǎo)體材料層上生長(zhǎng)有有源層；所述有源層上生長(zhǎng)有電子溢出阻擋層；所述電子溢出阻擋層上生長(zhǎng)P型化合物半導(dǎo)體材料層，所述P型化合物半導(dǎo)體材料層內(nèi)生長(zhǎng)有P型InGaN-GaN超晶格層。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊，能顯著提高發(fā)光效率，工藝方便，安全可靠。
- 專(zhuān)利類(lèi)型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人郭文平;鐘玉煌;姜紅苓;
- 地址214192 江蘇省無(wú)錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201420021683.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年01月14日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN203800070U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年08月27日
- 分類(lèi)號(hào)H01L33/14(2010.01)I;
教育裝備采購(gòu)網(wǎng)企業(yè)微信客服
京公網(wǎng)安備11010802043465號(hào)
