摘要：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管的外延片，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該外延片包括襯底和依次在襯底上生長的低溫緩沖層、高溫緩沖層、復(fù)合N型層、復(fù)合多量子阱層和復(fù)合P型層。該復(fù)合多量子阱層包括第一多量子阱層和在第一多量子阱層上生長的第二多量子阱層。該第一多量子阱層為多周期結(jié)構(gòu)，每一周期包括勢阱層和在勢阱層上生長的勢壘層，該第一多量子阱層每一周期的勢壘層分別摻雜有Si。本發(fā)明外延片第一多量子阱層的勢壘層摻雜的Si可以抑制勢壘層的表面形成螺旋島狀結(jié)構(gòu)，因此勢壘層的表面特性好，晶體質(zhì)量得到提高。本發(fā)明同時公開了一種制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管外延片的方法。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人吳克敏;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201310280553.2
- 申請時間2013年07月05日
- 申請公布號CN103337573A
- 申請公布時間2013年10月02日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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