摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管外延片包括襯底、以及依次層疊在所述襯底上的未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層和P型GaN層，所述多量子阱層包括交替層疊的InGaN量子阱層和GaN量子壘層，所述發(fā)光二極管外延片還包括層疊在所述P型GaN層上的N型接觸層，所述N型接觸層為摻雜Si的GaN層。本發(fā)明通過在P型GaN層上層疊N型接觸層，N型接觸層為摻雜Si的GaN層，降低電阻而增大導(dǎo)電率，有利于設(shè)置在N型接觸層上的P型電極注入電流的橫向擴(kuò)展，特別適用于背光上。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;董彬忠;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201610302023.7
- 申請時(shí)間2016年05月09日
- 申請公布號CN105977355A
- 申請公布時(shí)間2016年09月28日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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