摘要：一種可提高內(nèi)量子效率帶電子阻擋層的LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明從下至上依次包括圖形化襯底、GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述電子阻擋層從下至上依次包括前電子阻擋層、SiN/GaN?SLs型n?GaN層和后電子阻擋層。所述SiN/GaN?SLs型n?GaN層從下至上依次包括交替生長(zhǎng)的SiN層和GaN層。本發(fā)明是在電子阻擋層p?AlGaN中插入SiN/GaN?SLs型n?GaN層，不但能通過(guò)空穴濃度的提高和注入效率的提升來(lái)提高內(nèi)量子效率，還能通過(guò)對(duì)缺陷的阻擋來(lái)提高抗靜電能力。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人鄭建欽;田宇;曾頎堯;林政志;賴志豪;李鵬飛;
- 地址226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)東方大道499號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510258427.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年05月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106299059A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年01月04日
- 分類號(hào)H01L33/14(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I;
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