摘要：一種高空穴注入效率的LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明從下至上依次包括襯底、GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱、電子阻擋層、P型GaN層和P型接觸層。其中多量子阱由InGaN層和GaN層構(gòu)成。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述電子阻擋層從下至上依次由p型AlxGa1?xN層、AlN層和p型InyGa1?yN層構(gòu)成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2。所述電子阻擋層包括8?12個(gè)生長(zhǎng)周期，生長(zhǎng)壓力為100?200Torr，在氮?dú)猸h(huán)境中生長(zhǎng)。本發(fā)明采用由p型AlxGa1?xN層、AlN層和p型InyGa1?yN超晶格層構(gòu)成電子阻擋層，通過(guò)應(yīng)變和減小合金散射來(lái)提高空穴濃度和遷移率，提升發(fā)光二級(jí)管的發(fā)光效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人鄭建欽;田宇;吳真龍;曾頎堯;賴志豪;林政志;
- 地址226015 江蘇省南通市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)東方大道499號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510537614.8
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年08月28日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN106486573A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2017年03月08日
- 分類號(hào)H01L33/14(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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