摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該外延片包括：襯底、以及依次層疊在襯底上的緩沖層、不摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層和p型層，外延片還包括設(shè)于n型層與多量子阱層之間的電流擴展層，電流擴展層為超晶格結(jié)構(gòu)，超晶格結(jié)構(gòu)由第一子層和第二子層交替層疊而成，第一子層和第二子層由AlxGa1-xN制成，相鄰的第一子層和第二子層中的Al的組分含量不同，其中，0<x＜1。本發(fā)明通過上述技術(shù)方案，使得n型層中的電子在進入多量子阱層之前速度降低，使電子和空穴可以充分復(fù)合發(fā)光，提高了復(fù)合效率，且電流擴展層為超晶格結(jié)構(gòu)，其多層結(jié)構(gòu)可以有效釋放襯底與n型層之間的應(yīng)力，降低外延片中的缺陷，提高了內(nèi)量子效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人萬林;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201310156773.4
- 申請時間2013年04月28日
- 申請公布號CN103236480B
- 申請公布時間2016年01月20日
- 分類號H01L33/14(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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