摘要：本發(fā)明公開了一種具有新型量子阱的發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層和P型GaN載流子層，多量子阱有源層包括交替生長的M+N個量子阱層和M+N個量子壘層，量子阱層為InGaN阱層，量子壘層為GaN壘層；M+N個量子阱層中靠近N型GaN層的M個量子阱層的厚度逐漸變化，且在M+N個量子阱層中靠近N型GaN層的M個量子阱層中，靠近N型GaN層的量子阱層的厚度大于靠近P型GaN載流子層的量子阱層的厚度，M+N個量子阱層中靠近P型GaN載流子層的N個量子阱層的厚度均小于M個量子阱層的厚度，M和N均為大于1的正整數(shù)，且M與N的差值為0或1。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;董彬忠;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201610098456.5
- 申請時間2016年02月23日
- 申請公布號CN105609601A
- 申請公布時間2016年05月25日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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