摘要：具有非對(duì)稱壘層的藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層，有源區(qū)包括阱層和壘層，所述有源區(qū)的生長(zhǎng)周期數(shù)為3m個(gè)周期，有源區(qū)包括三個(gè)部分，每個(gè)部分生長(zhǎng)m個(gè)周期，壘層由AlxGa1-xN層、AlyIn1-yN層和InzGa1-zN層組成，其中，1≤m≤5。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型能減緩溢流現(xiàn)象和降低能帶的彎曲，提高內(nèi)量子效率，從而有效提高出光效率。
- 專利類型實(shí)用新型
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- 發(fā)明人田宇;鄭建欽;曾頎堯;賴志豪;郭廷瑞;黃繡云;黃信智;張志剛;吳東海;童敬文;林政志;李鵬飛;
- 地址100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層
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