摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該外延片包括襯底層、依次覆蓋在襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層和P型層；多量子阱層包括若干個(gè)量子壘層和若干個(gè)與各量子壘層相互交替生長(zhǎng)的量子阱層，每個(gè)量子壘層為超晶格結(jié)構(gòu)；超晶格結(jié)構(gòu)由不摻雜的GaN層和n型摻雜的AlxInyGa1-x-yN層交替層疊而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。本發(fā)明通過(guò)將發(fā)光二極管的外延片的中的每個(gè)量子壘層設(shè)置為超晶格結(jié)構(gòu)，該超晶格結(jié)構(gòu)由不摻雜的GaN層和n型摻雜的AlxInyGa1-x-yN層交替而成，提高了內(nèi)量子效率；同時(shí)，采用n型摻雜的AlxInyGa1-x-yN可以有效的增加電子隧穿幾率，提高了晶體質(zhì)量的同時(shí)降低了工作電壓，提高了抗靜電能力，并減小了熱阻，降低了結(jié)溫。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人王明軍;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210318437.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年08月31日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102820392B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年02月03日
- 分類號(hào)H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;
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