摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法，屬于半導體技術領域。該外延片包括襯底層、依次覆蓋在襯底層上的緩沖層、N型層、多量子阱層和P型層；多量子阱層包括若干個量子壘層和若干個與各量子壘層相互交替生長的量子阱層，每個量子壘層為超晶格結構；超晶格結構由不摻雜的GaN層和n型摻雜的AlxInyGa1-x-yN層交替層疊而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。本發(fā)明通過將發(fā)光二極管的外延片的中的每個量子壘層設置為超晶格結構，該超晶格結構由不摻雜的GaN層和n型摻雜的AlxInyGa1-x-yN層交替而成，提高了內(nèi)量子效率；同時，采用n型摻雜的AlxInyGa1-x-yN可以有效的增加電子隧穿幾率，提高了晶體質(zhì)量的同時降低了工作電壓，提高了抗靜電能力，并減小了熱阻，降低了結溫。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人王明軍;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201210318437.0
- 申請時間2012年08月31日
- 申請公布號CN102820392B
- 申請公布時間2016年02月03日
- 分類號H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;
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