摘要：具有高空穴濃度的P-GaN藍(lán)光LED外延結(jié)構(gòu)，涉及發(fā)光二極管外延技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型從下至上依次包括藍(lán)寶石襯底、AlN緩沖層、U型GaN層、N型GaN層、有源區(qū)、電子阻擋層和P型GaN層。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述P型GaN層從下至上依次包括交替生長(zhǎng)的AlxGa1-xN層和MgN-In層，位于最頂層的MgN-In層上方置有P-AlGaN層。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有較高的勢(shì)壘高度，使載流子更容易躍遷到有源區(qū)，能夠有效提高空穴濃度和遷移率，改善晶體質(zhì)量，從而提高LED的亮度。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請(qǐng)人南通同方半導(dǎo)體有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人田宇;余登永;鄭建欽;曾欣堯;童敬文;吳東海;李鵬飛;
- 地址100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201420339620.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年06月25日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN204045617U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年12月24日
- 分類號(hào)H01L33/14(2010.01)I;
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