摘要：本實(shí)用新型涉及一種基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，包括襯底，其特征是：在所述襯底上表面設(shè)置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分別包括設(shè)置在襯底上表面的GaN層，在GaN層上表面設(shè)置AlGaN層，在GaN層和AlGaN層之間形成二維電子氣；在所述AlGaN層上表面分別蒸鍍形成漏極金屬層、源極金屬層和柵極金屬層；在所述右芯片的柵極金屬層上生長(zhǎng)氫氣隔離層，氫氣隔離層覆蓋柵極金屬層的上表面和側(cè)面。本實(shí)用新型利用二維電子氣載流子濃度受縱向電壓影響的原理，柵極金屬層在不同氫氣濃度的電離下產(chǎn)生不同的肖特基勢(shì)壘，肖特基勢(shì)壘作用于二維電子氣的第三維方向，使電子氣載流子發(fā)生變化；不同濃度氫氣產(chǎn)生不同肖特基勢(shì)壘，測(cè)得不同電子氣電流，從而測(cè)試出氫氣濃度。
- 專利類型實(shí)用新型
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- 發(fā)明人鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩(shī);
- 地址214192 江蘇省無(wú)錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201320754832.3
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年11月25日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN203800048U
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年08月27日
- 分類號(hào)H01L27/04(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;
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