摘要:本發(fā)明公開了一種多溝道電流擴(kuò)展型半導(dǎo)體恒電流二極管,其特征在于:在P+型半導(dǎo)體襯底(1)上外延N型半導(dǎo)體區(qū)域(2)和P+型半導(dǎo)體區(qū)域(3),P+型半導(dǎo)體區(qū)域(3)將N型半導(dǎo)體區(qū)域(2)分為2個(gè)PN結(jié)隔離區(qū),隔離區(qū)上柵擴(kuò)散有第一P+半導(dǎo)體區(qū)域(41)、第二P+半導(dǎo)體區(qū)域(4-2),以及第一N+半導(dǎo)體區(qū)域(5-1)、第二N+半導(dǎo)體區(qū)域(5-2)、第三N+半導(dǎo)體區(qū)域(5-3);構(gòu)成多溝道N-JFET和PNP晶體管復(fù)合結(jié)構(gòu)。本發(fā)明將電源正極接到器件正極,電源負(fù)極接到器件負(fù)極(也可以通過(guò)負(fù)載接到負(fù)極),可以在一個(gè)基本回路中實(shí)現(xiàn)的恒電流特性。恒電流值的大小可以通過(guò)N-JFET的溝道數(shù)量或PNP的電流增益的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),該結(jié)構(gòu)可達(dá)到20mA~100mA系列的輸出恒定電流。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人劉橋;
- 地址550003貴州省貴陽(yáng)市蔡家關(guān)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN200910308121.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2009年10月09日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101667575A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年03月10日
- 分類號(hào)H01L27/04(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;




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