摘要：本發(fā)明涉及一種基于二維電子氣的氫氣傳感器芯片，包括襯底，其特征是：在所述襯底上表面設(shè)置分隔的左芯片和右芯片，左芯片和右芯片分別包括設(shè)置在襯底上表面的GaN層，在GaN層上表面設(shè)置AlGaN層，在GaN層和AlGaN層之間形成二維電子氣；在所述AlGaN層上表面分別蒸鍍形成漏極金屬層、源極金屬層和柵極金屬層；在所述右芯片的柵極金屬層上生長氫氣隔離層，氫氣隔離層覆蓋柵極金屬層的上表面和側(cè)面。本發(fā)明利用二維電子氣載流子濃度受縱向電壓影響的原理，柵極金屬層在不同氫氣濃度的電離下產(chǎn)生不同的肖特基勢壘，肖特基勢壘作用于二維電子氣的第三維方向，使電子氣載流子發(fā)生變化；不同濃度氫氣產(chǎn)生不同肖特基勢壘，測得不同電子氣電流，從而測試出氫氣濃度。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟開發(fā)區(qū)團結(jié)北路18號
- 申請?zhí)?/b>CN201310606571.5
- 申請時間2013年11月25日
- 申請公布號CN103579228B
- 申請公布時間2016年01月06日
- 分類號H01L27/04(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;
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