摘要：本實(shí)用新型涉及一種石墨盤，尤其是一種改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，屬于MOCVD用石墨盤的技術(shù)領(lǐng)域。按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述改善內(nèi)圈波長均勻性及拉近各圈波長均值的石墨盤，包括盤體及設(shè)置于所述盤體內(nèi)若干均勻分布的凹盤位；所述凹盤位包括內(nèi)圈盤位及位于所述內(nèi)圈盤位外圈的外圈盤位；所述內(nèi)圈盤位及外圈盤位均包括第一臺階、位于第一臺階下方的第二臺階及位于第二臺階下方的弧形底；所述內(nèi)圈盤位第二臺階的高度為40~100μm，所述外圈盤位的第二臺階的高度比內(nèi)圈盤位第二臺階的高度低5~25μm。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊，能縮小各圈波長寬度并改善內(nèi)圈均勻性，適應(yīng)范圍廣，安全可靠。
- 專利類型實(shí)用新型
- 申請人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人鐘玉煌;姜紅苓;田淑芬;
- 地址214192 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號
- 申請?zhí)?/b>CN201420009329.X
- 申請時(shí)間2014年01月07日
- 申請公布號CN203794982U
- 申請公布時(shí)間2014年08月27日
- 分類號C23C16/18(2006.01)I;
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