摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種基于超材料的遠(yuǎn)紅外單譜信號(hào)探測(cè)器，包括自下而上依次設(shè)置的襯底層、N型砷化鎵層、二氧化硅層與超材料層、歐姆電極和肖特基電極。超材料層為具有周期性微納米結(jié)構(gòu)的金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列，所述金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列包含了一種圖形及其特征尺寸參數(shù)，該圖形對(duì)于遠(yuǎn)紅外電磁波具有完全吸收特性，通過(guò)改變金屬開(kāi)環(huán)共振單元的結(jié)構(gòu)和尺寸參數(shù)可以調(diào)控對(duì)應(yīng)的電磁波吸收頻段，通過(guò)改變N型砷化鎵的耗盡層寬度可以調(diào)控超材料層中金屬開(kāi)環(huán)共振單元陣列的電磁波吸收強(qiáng)度。本發(fā)明具有高靈敏度和高速特性，通過(guò)選擇特定金屬開(kāi)環(huán)共振單元結(jié)構(gòu)可以將探測(cè)器工作于遠(yuǎn)紅外的一個(gè)特定波段。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人羅俊;別業(yè)華;李維軍;張新宇;佟慶;雷宇;桑紅石;張?zhí)煨?謝長(zhǎng)生;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410454835.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年09月09日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104218116B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年07月13日
- 分類號(hào)H01L31/108(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;
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