摘要：本發(fā)明實施例公開了一種半導體發(fā)光器件及其制備方法，屬于光電技術領域。所述半導體發(fā)光器件包括：襯底、設于所述襯底上的外延層和設于所述外延層上的電極層；所述襯底的底面和所述電極層的表面中的至少一個形成有多個凸起和/或孔，所述凸起和所述孔均從所述底面或所述電極層的表面向所述半導體發(fā)光器件的內部延伸，所述凸起的高度至少為0.1μm，所述孔的深度至少為0.1μm。本發(fā)明實施例采用多孔氧化鋁模板，在半導體發(fā)光器件的電極層表面和/或襯底的底面形成多個凸起和/或孔，可以有效提高半導體發(fā)光器件的取光效率，工藝簡單，易于控制，適于大批量生產(chǎn)，進而降低了半導體發(fā)光器件的制造成本。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人金迎春;徐瑾;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市光谷濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201210093235.0
- 申請時間2012年03月31日
- 申請公布號CN102623603A
- 申請公布時間2012年08月01日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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