摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管芯片包括：襯底以及依次層疊在襯底上的N型層、多量子阱層和P型層，發(fā)光二極管芯片還包括從P型層刻蝕到N型層的凹槽、設(shè)于凹槽內(nèi)的N型層上的N型焊盤、設(shè)于P型層上的電流擴(kuò)展層和P型焊盤，P型焊盤嵌設(shè)在電流擴(kuò)展層中，P型焊盤和N型焊盤均包括依次層疊的底層、中間層和頂層，發(fā)光二極管芯片還包括：設(shè)于P型層上的第一環(huán)狀保護(hù)層和設(shè)于凹槽內(nèi)的N型層上的第二環(huán)狀保護(hù)層，P型焊盤的底層包括設(shè)于P型層上且位于第一環(huán)狀保護(hù)層環(huán)內(nèi)的第一底層、設(shè)于P型層上且位于第一環(huán)狀保護(hù)層環(huán)外的第二底層和覆蓋在第一環(huán)狀保護(hù)層上的第三底層。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人張建寶;吳繼清;胡瑤;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410668447.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年11月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN104409599A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年03月11日
- 分類號(hào)H01L33/38(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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