摘要：本發(fā)明涉及一種無(wú)需打線的藍(lán)寶石襯底的氮化鎵基發(fā)光二極管及其制備方法：將芯片的P、N電極分布于芯片的兩個(gè)側(cè)面，呈窄條狀相對(duì)分布；通過(guò)把芯片的側(cè)面加工成斜面，把電極延伸到斜面上，采用嵌入式的封裝焊接結(jié)構(gòu)，芯片置于該結(jié)構(gòu)內(nèi)，將通過(guò)熔融又凝固的焊料實(shí)現(xiàn)芯片電極與封裝結(jié)構(gòu)的連接。采用本方法加工的氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，封裝時(shí)可以省略打線的步驟，可增加芯片表面的發(fā)光面積和透光面積，可降低封裝對(duì)芯片電極的工藝需求。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人羅紅波;周武;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110330729.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年10月27日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102368527A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年03月07日
- 分類號(hào)H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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