摘要：本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管，屬于光電子制造技術(shù)領(lǐng)域，該發(fā)光二極管包括依次層疊的襯底、N型GaN層、量子阱層、P型GaN層、ITO導(dǎo)電膜、分布布拉格反射層以及絕緣層，還包括P電極和N電極，P電極中第一P電極夾持于ITO導(dǎo)電膜與分布布拉格反射層之間，第二P電極夾持于分布布拉格反射層與絕緣層之間，第三P電極設(shè)置在絕緣層上，三個P電極相接觸，N電極中第一N電極設(shè)置于N極孔中并與N型GaN層接觸，第二電極夾持于分布布拉格反射層與絕緣層之間，第三N電極設(shè)置在絕緣層上，三個N電極相接觸，第一P電極與第一N電極間隔排列。該發(fā)光二極管中電流通道更短，增強了ITO的電流擴展效果。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人徐瑾;金迎春;徐盛海;譚勁松;吳克敏;胡引;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201510126600.7
- 申請時間2015年03月23日
- 申請公布號CN104752575A
- 申請公布時間2015年07月01日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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