摘要：一種氮化鎵基發(fā)光二極管及其制作方法，涉及光電技術領域。本發(fā)明氮化鎵基發(fā)光二極管包括襯底以及置于襯底上方依次由N型GaN層、發(fā)光層、P型GaN層和透明導電層組成的發(fā)光結構。在透明導電層上置有P型電極。其結構特點是，所述襯底底部開設孔直至N型GaN層，在所述孔內設有N型電極置于N型GaN層下底面。同現有技術相比，本發(fā)明通過在襯底底部開孔安置N型電極，減少發(fā)光區(qū)刻蝕損傷，增加發(fā)光區(qū)面積來提升光效。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人南通同方半導體有限公司;同方股份有限公司;
- 發(fā)明人董發(fā);李志翔;吳東海;詹潤滋;
- 地址100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
- 申請?zhí)?/b>CN201410064890.2
- 申請時間2014年02月26日
- 申請公布號CN104868029A
- 申請公布時間2015年08月26日
- 分類號H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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