摘要：本實用新型公開了一種球面靶陰極機構(gòu)及濺射鍍膜裝置，本實用新型的球面靶陰極機構(gòu)主要是用來對半球面形狀的基材進行濺射鍍膜，因此，整個球面靶陰極機構(gòu)的設(shè)計都是基于半球面形狀的基材而設(shè)定的。具體來說，球面靶陰極機構(gòu)包括水冷座，靶材，磁鋼部件。水冷座的安裝臺外表面為半球形狀表面，所述安裝臺的半球形狀表面上對應(yīng)安裝有所述靶材，使得所述靶材形成球面靶；另外，在所述安裝臺的內(nèi)部設(shè)置有密封體來密封磁鋼部件，并且將磁鋼部件排列在所述密封體的半球形狀內(nèi)表面上，用來對半球面形狀的基材進行濺射鍍膜。
- 專利類型實用新型
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人徐子明;向勇;傅紹英;閆宗楷;李樂;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號
- 申請?zhí)?/b>CN201620267221.X
- 申請時間2016年03月31日
- 申請公布號CN205688005U
- 申請公布時間2016年11月16日
- 分類號C23C14/35(2006.01)I;
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