摘要：本發(fā)明涉及一種高結(jié)晶性ZnO薄膜的制備工藝。其主要工藝步驟為：(1)制備ZnO陶瓷靶材；(2)清洗玻璃襯底；(3)在玻璃襯底上制備ZnO薄膜。在本發(fā)明中磁控濺射時(shí)濺射腔內(nèi)本底真空度為1.8×10-4Pa，濺射功率統(tǒng)一定為150W，靶材與襯底之間的距離定為10cm，基片溫度的范圍為450℃～600℃，氬氧比為40∶0～20∶20(sccm∶sccm)，濺射氣壓為1Pa。本發(fā)明所制備的ZnO薄膜透明度好，具有極好的結(jié)晶性，晶粒具有很好的c軸取向生長(zhǎng)特性。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人廣東志成冠軍集團(tuán)有限公司;
- 發(fā)明人曾祥斌;楊艷艷;王小錦;李青;李民英;陳宇;
- 地址523718 廣東省東莞市塘廈鎮(zhèn)田心工業(yè)區(qū)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201010186969.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2010年05月26日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN101845615A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2010年09月29日
- 分類號(hào)C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;
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