摘要：本發(fā)明公開了一種環(huán)境友好半導(dǎo)體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝，它包括：首先清洗Si基片；其次采用高真空磁控濺射系統(tǒng)在Si單晶上沉積200-500nm純金屬Mg膜，形成Si/Mg薄膜結(jié)構(gòu)；最后放置于真空退火爐內(nèi)。對真空退火爐抽真空，退火爐背底真空小于等于10-3Pa，往高真空的退火爐內(nèi)通入氬氣，然后封閉退火爐進(jìn)行退火處理。整個退火過程中，保持退火爐腔體內(nèi)氬氣氣壓為10-104Pa的氬氣氛圍、350-550℃退火3-8小時,直接形成環(huán)境友好半導(dǎo)體Mg2Si薄膜。本發(fā)明的磁控濺射法制備工藝，具有鍍膜層與基片的結(jié)合力強、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點，適用于工業(yè)化的大規(guī)模批量生產(chǎn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人貴州大學(xué);
- 發(fā)明人謝泉;肖清泉;張晉敏;
- 地址550025 貴州省貴陽市花溪區(qū)貴州大學(xué)科技處
- 申請?zhí)?/b>CN201010147304.2
- 申請時間2010年04月15日
- 申請公布號CN101798680A
- 申請公布時間2010年08月11日
- 分類號C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;
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