摘要：本發(fā)明公開了一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備及制膜方法，在本發(fā)明的設(shè)備中，包括反應(yīng)腔體，內(nèi)部設(shè)置有上極板和下級板；將下級板劃包括沉積板和槽型機構(gòu)，沉積板蓋設(shè)于槽型機構(gòu)的槽型開口上，形成一容置空間。將槽型機構(gòu)的外表面覆蓋一層由絕緣材料形成的絕緣壁，只保留沉積板通入射頻電壓產(chǎn)生等離子體進(jìn)行鍍膜，能夠保證等離子體的均勻性和穩(wěn)定性，使得薄膜材料均勻的沉積在基片上，能夠提高制膜質(zhì)量。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人向勇;傅紹英;孫赫;閆宗楷;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號
- 申請?zhí)?/b>CN201610202910.7
- 申請時間2016年03月31日
- 申請公布號CN105714274A
- 申請公布時間2016年06月29日
- 分類號C23C16/509(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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