摘要：本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備及制膜方法，在本發(fā)明的設(shè)備中，包括反應(yīng)腔體，內(nèi)部設(shè)置有上極板和下級(jí)板；將下級(jí)板劃包括沉積板和槽型機(jī)構(gòu)，沉積板蓋設(shè)于槽型機(jī)構(gòu)的槽型開(kāi)口上，形成一容置空間。將槽型機(jī)構(gòu)的外表面覆蓋一層由絕緣材料形成的絕緣壁，只保留沉積板通入射頻電壓產(chǎn)生等離子體進(jìn)行鍍膜，能夠保證等離子體的均勻性和穩(wěn)定性，使得薄膜材料均勻的沉積在基片上，能夠提高制膜質(zhì)量。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人向勇;傅紹英;孫赫;閆宗楷;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201610202910.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2016年03月31日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105714274A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年06月29日
- 分類(lèi)號(hào)C23C16/509(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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