摘要：本發(fā)明公開了一種卷對卷磁控濺射真空鍍膜裝置，包括：真空腔室，真空腔室中依次設(shè)置有放卷輥、冷卻輥、收卷輥、定位支架，而定位支架為高度可調(diào)的內(nèi)凹形型支架，包括：支撐機(jī)構(gòu)和內(nèi)陷機(jī)構(gòu)；其中，支撐機(jī)構(gòu)可隨意調(diào)整內(nèi)陷機(jī)構(gòu)和冷卻輥的距離，進(jìn)而隨意改變靶基距；內(nèi)陷機(jī)構(gòu)的內(nèi)陷面上設(shè)置有多個濺射陰極，每個濺射陰極上設(shè)置有各自的濺射靶材；每個濺射陰極中的濺射靶材可以相同或者不同。本發(fā)明將濺射陰極內(nèi)置于真空腔內(nèi)部，并且使用了高度可調(diào)的內(nèi)凹形型支架來調(diào)整內(nèi)陷機(jī)構(gòu)和冷卻輥的距離，有利于找出濺射靶材和冷卻輥上的待鍍膜的基材的最佳鍍膜距離，可大大提高沉積速率，提高了濺射鍍膜效率和鍍膜質(zhì)量。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發(fā)明人向勇;傅紹英;胡楊;楊小軍;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業(yè)港（雙流園區(qū)）東海路六段680號
- 申請?zhí)?/b>CN201610196820.1
- 申請時間2016年03月31日
- 申請公布號CN105671508A
- 申請公布時間2016年06月15日
- 分類號C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;
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