摘要：本發(fā)明公開了一種GaN基發(fā)光二極管外延片及其制備方法，屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域。該GaN基發(fā)光二極管外延片包括：襯底，以及依次覆蓋在襯底上的u型GaN層、N型GaN層、多量子阱有源層、P型AlGaN層和P型GaN載流子層，多量子阱有源層包括交替生長(zhǎng)的多個(gè)InGaN阱層和多個(gè)GaN壘層，多個(gè)GaN壘層中的最靠近P型AlGaN層的GaN壘層包括u型GaN壘和P型GaN壘，P型AlGaN層覆蓋在P型GaN壘上。上述外延片使得注入多量子阱有源層中的空穴增多，在大電流密度下，注入多量子阱有源層中的電子變多，所以大大提高了電子和空穴在多量子阱有源層中的復(fù)合效率，同時(shí)使得越過(guò)多量子阱有源層逃逸到P型GaN載流子層的電子數(shù)量明顯減少，電子溢漏的程度減小，進(jìn)一步提高了大電流密度下LED的發(fā)光效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;董彬忠;付杰;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510599590.9
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年09月18日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105206717A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2015年12月30日
- 分類號(hào)H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;
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