摘要：本發(fā)明公開了一種Si襯底GaN基發(fā)光二極管外延片及其制作方法，屬于半導體技術領域。該方法包括：提供Si襯底；在Si襯底上生長反光層，反光層為多周期結構，每個周期包括TiO2層和生長在TiO2層上的SiO2層；將頂層的SiO2層中一部分厚度的SiO2碳化成SiC；在碳化后的SiO2層上依次層疊生長成核層、不摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層和p型層。本發(fā)明通過生長反光層，可以將從多量子阱層射向Si襯底的光反射回去，避免了這些光被Si襯底吸收，從而在能保證發(fā)光二極管出光率的同時，不用剝離Si襯底，這一方面簡化了芯片制作工藝的工序和成本，另一方面不會導致在芯片制作工藝過程中芯片碎片和漏電，便于Si襯底制作正裝結構的芯片。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;劉榕;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201310391310.6
- 申請時間2013年08月30日
- 申請公布號CN103500777B
- 申請公布時間2016年01月20日
- 分類號H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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