摘要：本發(fā)明公開了一種Si襯底GaN基發(fā)光二極管外延片及其制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：提供Si襯底；在Si襯底上生長(zhǎng)反光層，反光層為多周期結(jié)構(gòu)，每個(gè)周期包括TiO2層和生長(zhǎng)在TiO2層上的SiO2層；將頂層的SiO2層中一部分厚度的SiO2碳化成SiC；在碳化后的SiO2層上依次層疊生長(zhǎng)成核層、不摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層和p型層。本發(fā)明通過生長(zhǎng)反光層，可以將從多量子阱層射向Si襯底的光反射回去，避免了這些光被Si襯底吸收，從而在能保證發(fā)光二極管出光率的同時(shí)，不用剝離Si襯底，這一方面簡(jiǎn)化了芯片制作工藝的工序和成本，另一方面不會(huì)導(dǎo)致在芯片制作工藝過程中芯片碎片和漏電，便于Si襯底制作正裝結(jié)構(gòu)的芯片。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;劉榕;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310391310.6
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年08月30日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103500777B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年01月20日
- 分類號(hào)H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;
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