摘要：本發(fā)明公開一種提高ESD的復(fù)合n-GaN層結(jié)構(gòu)的制備方法，該材料依次由藍(lán)寶石襯底層，低溫生長(zhǎng)的GaN緩沖層，高溫生長(zhǎng)的不摻雜的u-GaN層，高溫生長(zhǎng)的n-GaN層，InxGa1-xN/GaN多量子阱層，p-AlyGa1-yN電子阻擋層，p-GaN層和p-GaN接觸層組成。在高溫生長(zhǎng)的n-GaN中間插入一層n-AlzGa1-zN層，形成復(fù)合結(jié)構(gòu)，重?fù)诫s的n+-GaN能有效的降低Vf，n-AlzGa1-zN的插入能有效的減少量子阱區(qū)的線性位錯(cuò)和V型位錯(cuò)，提高晶體質(zhì)量，提高發(fā)光二極管的抗靜電能力，低摻雜的n-GaN作為電流分散層，能有效的提高器件的壽命。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人王明軍;魏世禎;胡加輝;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201110330664.0
- 申請(qǐng)時(shí)間2011年10月27日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102412351A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2012年04月11日
- 分類號(hào)H01L33/00(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;
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