摘要：本發(fā)明涉及一種基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)及制備方法，屬于外延片的技術(shù)領(lǐng)域。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述基于AlN陶瓷襯底的GaN外延片結(jié)構(gòu)，包括AlN陶瓷襯底及生長(zhǎng)于AlN陶瓷襯底上的緩沖層，所述緩沖層上生長(zhǎng)有GaNLED結(jié)構(gòu)層。本發(fā)明采用AlN陶瓷襯底，并在AlN陶瓷襯底上設(shè)置緩沖層，通過生長(zhǎng)緩沖層后在AlN陶瓷襯底上通過MOCVD常規(guī)工藝制備得到GaNLED結(jié)構(gòu)層，工藝步驟簡(jiǎn)單方便，能大大提高GaNLED晶體質(zhì)量，同時(shí)可以在GaNLED結(jié)構(gòu)層內(nèi)設(shè)置DBR層及粗化層，以提高通過GaNLED結(jié)構(gòu)層得到LED工作時(shí)的出光效率，通過AlN陶瓷襯底能提高導(dǎo)熱性能，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單緊湊，工藝簡(jiǎn)單，機(jī)械性能優(yōu)良，耐腐蝕，延長(zhǎng)通過外延片制備LED器件的使用壽命，穩(wěn)定可靠。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人江蘇新廣聯(lián)科技股份有限公司;
- 發(fā)明人郭文平;王東盛;鐘玉煌;
- 地址214111 江蘇省無錫市錫山區(qū)錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)團(tuán)結(jié)北路18號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201210136796.4
- 申請(qǐng)時(shí)間2012年05月04日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN102637791B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2014年12月10日
- 分類號(hào)H01L33/00(2010.01)I;
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