摘要：本發(fā)明實(shí)施例公開了一種LED芯片的制造方法，屬于光電技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：提供基板，并在基板上形成外延層；在第一掩膜的掩蓋下，對外延層進(jìn)行第一次刻蝕，以形成第一凹槽；采用激光劃片技術(shù)從外延層一側(cè)進(jìn)行劃片，形成劃片槽，并高溫腐蝕劃片槽；在第二掩膜的掩蓋下，對外延層進(jìn)行第二次刻蝕，以形成隔離槽，隔離槽位于第一凹槽內(nèi)，且隔離槽的寬度大于劃片槽的寬度；在隔離槽中設(shè)置絕緣層；在相鄰的子芯片間形成電氣連接。本發(fā)明實(shí)施例采用兩步刻蝕來形成隔離槽，并在兩步刻蝕之間插入正劃工藝，可以有效減少劃片處吸光，從而提高發(fā)光元件的整體亮度，工藝簡單，容易實(shí)現(xiàn)。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人程素芬;徐瑾;王江波;
- 地址430223 湖北省武漢市光谷濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201210093271.7
- 申請時(shí)間2012年03月31日
- 申請公布號CN102623587B
- 申請公布時(shí)間2014年12月24日
- 分類號H01L33/00(2010.01)I;H01L21/78(2006.01)I;
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