摘要:本發(fā)明公開(kāi)了一種硅酸鹽類(lèi)熒光粉及其表面包覆氧化物隔膜薄膜的裝置和工藝,其中,所述裝置中設(shè)有熒光粉特用沉積室,所述沉積室為單層或多層結(jié)構(gòu)設(shè)置,每層沉積室由熒光粉沉積區(qū)域(1)和布滿沉積區(qū)域(1)周?chē)臍獾溃?)構(gòu)成,所述氣道為原子層沉積的前驅(qū)體以及載氣的進(jìn)入和排出的管路。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了原子層沉積(ALD)技術(shù)在熒光粉外圍包覆隔膜薄膜層以提高其性能的目的。本發(fā)明在ALD技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)明一種特用熒光粉包覆的沉積室,并進(jìn)一步改進(jìn)原子層沉積的工藝以滿足熒光粉包覆的要求。
- 專(zhuān)利類(lèi)型發(fā)明專(zhuān)利
- 申請(qǐng)人無(wú)錫邁納德微納技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人左雪芹;梅永豐;
- 地址214028 江蘇省無(wú)錫市新區(qū)長(zhǎng)江南路35號(hào)空港產(chǎn)業(yè)園科技商務(wù)中心B棟603室
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201310528359.1
- 申請(qǐng)時(shí)間2013年10月31日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103668119B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年06月22日
- 分類(lèi)號(hào)C23C16/455(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;B22F1/02(2006.01)I;




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