摘要：本發(fā)明公開了一種利用原子層沉積技術(shù)對熒光粉包覆納米級氧化物薄膜的方法，包括如下步驟：1）打開微納尺度粉體保護層包裹裝置的外部腔體，取出內(nèi)部的粉末反應(yīng)裝置，將熒光粉放入后，密封外部腔體；2)開啟高純氮氣作為載氣，開啟普通氣體作為脈沖氣體；3)設(shè)置參數(shù)；4)選擇沉積模式；5）沉積參數(shù)設(shè)置；6)設(shè)置腔體轉(zhuǎn)速；7）開啟真空泵；8)開始循環(huán)沉積。本發(fā)明工藝在之前發(fā)明的裝置的基礎(chǔ)上，通過調(diào)整工藝參數(shù)，實現(xiàn)了原子層沉積（ALD)技術(shù)在熒光粉外圍包覆隔膜薄膜層以提高其性能的目的，對各類熒光粉的包覆都能達到單層包覆，且包覆膜非常致密。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人無錫邁納德微納技術(shù)有限公司;
- 發(fā)明人左雪芹;梅永豐;
- 地址214028 江蘇省無錫市新區(qū)長江南路35號空港產(chǎn)業(yè)園科技商務(wù)中心B棟603室
- 申請?zhí)?/b>CN201310527174.9
- 申請時間2013年10月31日
- 申請公布號CN103556129B
- 申請公布時間2016年03月02日
- 分類號C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;
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