摘要：本發(fā)明公開了一種多元物質(zhì)原子層沉積膜制備方法和裝置，所述方法，即使基片相對于原子層沉積反應(yīng)腔直線運動，依次通過其內(nèi)用于完成不同原子層沉積的原子層沉積系統(tǒng)，基片通過每個原子層沉積系統(tǒng)時：調(diào)整基片溫度為相應(yīng)原子層沉積反應(yīng)最適溫度。所述裝置，包括原子層沉積反應(yīng)腔、基片承載臺、運動平臺和溫度控制裝置；原子層沉積反應(yīng)腔依次設(shè)置有多個原子層沉積系統(tǒng)；基片承載臺，設(shè)置在原子層沉積反應(yīng)腔下方；運動平臺，與基片承載臺連接，帶動基片承載臺運動；溫度控制裝置，設(shè)置在基片承載臺下方。所述方法能高效快速的制備多元物質(zhì)原子層沉積膜，所述裝置，能方便的通過現(xiàn)有原子層沉積系統(tǒng)組裝，兼容性強，功耗低，沉積效率高。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華中科技大學(xué);
- 發(fā)明人陳蓉;褚波;何文杰;高玉樂;單斌;文艷偉;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號
- 申請?zhí)?/b>CN201310636805.0
- 申請時間2013年12月02日
- 申請公布號CN103668120B
- 申請公布時間2016年04月13日
- 分類號C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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