摘要：一種連續(xù)進(jìn)給CVD系統(tǒng)，包括晶片運(yùn)送機(jī)構(gòu)，該晶片運(yùn)送機(jī)構(gòu)在CVD處理期間將晶片運(yùn)送通過(guò)淀積腔室。淀積腔室限定通道，晶片在由晶片運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送的同時(shí)通過(guò)該通道。淀積腔室包括多個(gè)處理腔室，這些處理腔室由屏障隔離，這些屏障保持在多個(gè)處理腔室中的每一個(gè)腔室中的分立的工藝化學(xué)性質(zhì)。多個(gè)處理腔室中的每一個(gè)腔室包括氣體輸入端口和氣體排出端口、及多個(gè)CVD氣體源。多個(gè)CVD氣體源的至少兩個(gè)聯(lián)接到多個(gè)處理腔室中的每一個(gè)腔室的氣體輸入端口上。
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- 申請(qǐng)時(shí)間2010年06月03日
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