摘要：本發(fā)明公開了一種有效提高GaN基LED發(fā)光效率的外延生長方法，該方法是在傳統(tǒng)的GaN基LED結(jié)構(gòu)：襯底上的緩沖層、uGaN層、nGaN、n型電流擴(kuò)展層、n型空間層、量子阱有源區(qū)、p型電子阻擋層、p型GaN、接觸層的基礎(chǔ)上，在n型電流擴(kuò)散層和n型空間層之間加入一步表面處理的程序，將從襯底和GaN界面延伸至電流擴(kuò)散層的缺陷以及應(yīng)力進(jìn)行破壞和釋放，之后再通過生長條件的控制將材料的表面恢復(fù)平整，然后再生長量子阱有源區(qū)。結(jié)果表明，和傳統(tǒng)的生長技術(shù)相比，這樣生長的量子阱受缺陷和應(yīng)力的影響較小，能有效的提高樣品的發(fā)光強(qiáng)度。本發(fā)明適用于藍(lán)綠光波段的GaN基LED的外延生長。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發(fā)明人孫玉芹;王江波;魏世禎;劉榕;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)濱湖路8號
- 申請?zhí)?/b>CN201210299221.4
- 申請時間2012年08月22日
- 申請公布號CN102779737A
- 申請公布時間2012年11月14日
- 分類號H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;
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