摘要：本發(fā)明公開了一種消除氧熱施主對(duì)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度影響的方法，通過將晶舟的出舟溫度提高到氧熱施主的生成溫度以上，并通過快速冷卻使硅片在出舟過程中快速通過氧熱施主產(chǎn)生的溫度區(qū)間，避免了氧熱施主的產(chǎn)生，從而提高了高溫退火后單晶硅片表面光電壓法體鐵測(cè)試結(jié)果的可信度。本發(fā)明的方法無須改變硬件條件，可行性強(qiáng)，重復(fù)性高。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人周文飛;劉耀琴;王建勛;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201510863269.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2015年12月01日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN105470129A
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年04月06日
- 分類號(hào)H01L21/324(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;
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