摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理裝置，公開了一熱處理裝置，包括熱處理加熱結(jié)構(gòu)、第二保溫部、第三保溫部及外殼，其中：熱處理加熱結(jié)構(gòu)包括第一保溫部及加熱部，第一保溫部環(huán)繞待加熱樣品形成一加熱腔，加熱部部分嵌入所述第一保溫部內(nèi)，加熱部朝向待加熱樣品的一側(cè)裸露。本發(fā)明提供的熱處理裝置包括置于內(nèi)層的第一保溫部、置于外層的第二保溫部、以及置于頂部的第三保溫部，具有全方位的良好保溫性能，且該熱處理裝置包括多個長度可根據(jù)需求靈活定義的熱處理加熱結(jié)構(gòu)，在簡化熱處理裝置成型制作過程、提高熱處理裝置生產(chǎn)效率的同時，還可通過對各熱處理加熱結(jié)構(gòu)的分別控制實現(xiàn)分段控溫，提高了熱處理裝置的熱處理質(zhì)量和效率。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人孫少東;周厲穎;王艾;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
- 申請?zhí)?/b>CN201410058399.9
- 申請時間2014年02月20日
- 申請公布號CN103774238B
- 申請公布時間2016年09月07日
- 分類號H01L21/324(2006.01)I;
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