摘要：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體處理裝置，公開了一熱處理裝置，包括加熱層及夾層，夾層環(huán)繞待加熱樣品以形成加熱腔，加熱層設(shè)置在加熱腔內(nèi)，用于加熱待加熱樣品，夾層內(nèi)部中空，以允許外界氣體進(jìn)入所述夾層。本發(fā)明通過在熱處理裝置中設(shè)置一內(nèi)部中空的夾層，并控制夾層內(nèi)部氣體壓力，當(dāng)熱處理裝置升溫并至保溫階段，控制夾層內(nèi)部氣體壓力為負(fù)壓，減小熱傳遞及熱對(duì)流帶來的熱損失，使熱處理裝置內(nèi)部溫度快速到達(dá)工藝溫度，到達(dá)工藝溫度進(jìn)行保溫時(shí)，能降低維持工藝溫度的能耗；當(dāng)熱處理裝置降溫時(shí)，控制夾層內(nèi)部壓力為非負(fù)壓狀態(tài)，并使氣體處于流動(dòng)狀態(tài)帶走熱量，達(dá)到熱處理裝置快速升降溫的效果，實(shí)現(xiàn)降低熱處理裝置升溫/保溫能耗的目的。
- 專利類型發(fā)明專利
- 申請(qǐng)人北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司;
- 發(fā)明人孫少東;周厲穎;王麗榮;
- 地址100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號(hào)
- 申請(qǐng)?zhí)?/b>CN201410058339.7
- 申請(qǐng)時(shí)間2014年02月20日
- 申請(qǐng)公布號(hào)CN103774237B
- 申請(qǐng)公布時(shí)間2016年09月07日
- 分類號(hào)H01L21/324(2006.01)I;
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